8月科学教育网小李来为大家讲解下。万能声卡驱动程序（万能声卡驱动下载）这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！
【汽车芯片从应用环节可以分为5类：主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等。】
2020年主控芯片占比23%，功率半导体占比22%，传感器占比13%，存储芯片占比9%，其他占比33%。看好辅助驾驶+自动驾驶+汽车电动化持续提升带动汽车半导体量价齐升：
1）主控芯片：算力随着智能化提升不断提升从L1<1TOPS到L51000+TOPS算力推动主控芯片高速增长；
2）功率半导体：燃油车功率半导体单车价值量达87.6美元，新能源汽车458.7美元，实现四倍以上增长；
3）模拟芯片：以电源IC为例，车载领域增长最快，CAGR达9.0%。
4）传感器：L2级别汽车预计会携带6个传感器，L5级别携带32个传感器，汽车半导体占比提升显著；
5.）存储芯片：汽车存储系统随着智能化水平提升容量和性能快速增长，为存储器步入千亿美金市场核心。
汽车芯片从应用环节可以分为5大类：主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等。
主控芯片：主要用于计算分析和决策，主要分为功能芯片（MCU）和主控芯片（SOC）。MCU指的是芯片级芯片，一般只*含CPU一个处理单元（例：MCU=CPU+存储+接口单元）。而SOC指的是系统级芯片，一般*含多个处理单元（例：SOC=CPU+GPU+DSP+NPU+存储+接口单元）1）计算芯片：*括SoC，CPU，MPU，GPU，NPU, FPGA等；2）控制芯片：MCU等
模拟芯片：信号与接口芯片+电源管理芯片主要用于发送、接收以及传输通讯信号。1）总线芯片CAN/LIN/USB/ETH等；2）通信与射频芯片：基带、V2X、BT/WiFi等；3) 信号变换：*括复用器、放大器、隔离器等；4）专用功能芯片*括：苹果认证、安全加密芯片等
电源管理芯片1）DC/DC开关稳压器2）DC/AC控制器和转换器3）电源管理IC4）线性/LDO稳压器5）监控器和电压基准等
传感器芯片：主要用于探测、感受外界信号、物理条件或化学组成，并将探知的信息转变为电信号或其他所需形式传递给其他设备1）雷达传感器：超声波、毫米波、激光雷达等；2）图像传感器：CMOS传感器等；3）光电传感器：阳光/红外传感器、压力、流量传感器等；4）*物传感器：气味传感器、氧气传感器等；5）磁传感器（霍尔传感器等）
存储芯片：主要用于数据存储功能1）内存DRAM(DDR、LPDDR4(x)等)；2）闪存FLASH（NAND FLASH、NOR FLASH）；3）EEPROM等
功率芯片：主要用于保证和调节能源传输1）驱动芯片：高低边驱动、HBD等；2）功率放大器：音频功放等；3）功率模组：IGBT、组合MOS等；4）其他：eFUSE、理想二极管控制器
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华为智选2022年度目标30万辆？
2019年赛力斯品牌在中国推出SF5车型，其实这款车在更早以前在美国上市。赛力斯SERES其实和CHINA以及SINO-和Cathay一样都是“中国”的意思。CHINA可以解读为瓷器国，Cathay可解读为契丹，SERES可以解释为丝绸之国，完美的解读一带一路。
2020年疫情期间全年也没有怎么推广，赛力斯全国累计销量为732台。
2021年4月，华为商城开始售卖赛力斯，华为智选SF5搭载赛力斯自主研发的255kW电驱动系统和华为150kW的三合一电驱动系统，以及华为HUAWEI DriveONE电驱动系统、HUAWEI HiCar、HUAWEI Sound音频技术，
从而冠名华为智选！
赛力斯前11月累计销量为6572辆，12月赛力斯SF5销量突破2200辆，全年累计预计在8800辆左右。
东风公司2021年度销量中透漏风光和赛力斯品牌一共16.09万辆。（图一）
也许赛力斯成绩还不足以单列吧。
虽然表现不太突出，但是比2020年可以说进步的空间非常大。
重磅车型问界M5发布后，赛力斯华为智选SF5开始让道。
在华为终端门店，赛力斯华为智选SF5也换成了主打的拳头问界M5。
华为门店销售人员透露，2021 年 12 月 23 日 AITO 问界 M5 发布后 96 小时（4 天），预定量有 6500 多台。
当前就在今天赛力斯官方抖音仍然在卖力宣传SF5.所以并没有像要谣传的停产，官方已经做出解释说明，目前释放了大部分产能去打造问界，因为更高端的车型要上市了，前期冲刺工作当然要做好。
小康股份第二大股东就是国家企业东风汽车集团。
谈到合作东风和华为从2008年就开始了，东风风神等车型一直有华为科技基因，只是也没有过多的民营企业式公关和宣传，但是赛力斯具有私人企业性质，最有深度的合作的也是赛力斯。
基于表面微加工的悬浮式MEMS扬声器
近期，一支由加拿大魁北克大学希库蒂米分校和蒙特利尔分校研究人员组成的团队在2022 20th IEEE Interregional NEWCAS Conference（NEWCAS）上发表了最新论文，据研究人员所知，本论文首次提出了一种悬浮式MEMS扬声器，该扬声器在1mm处产*的最大声压级（SPL）约为85db，在高保真、高效率的应用领域具有良好的前景。
虽然对于许多设备类型来说，微尺度物理学有利于提高性能，但不幸的是，扬声器应用并非如此。由于MEMS器件通常依赖于刚性材料的形变运动，因此在功率和频率带宽之间存在一种权衡。此外，在低频下的工作依赖于非常大的器件尺寸。对于音频应用来说，低频和覆盖所有可听波长的带宽是至关重要的要求，所有这些都不能牺牲输出功率，即音量。
H. Wang等提出了一种使用PZT薄膜制造的压电MEMS扬声器，该扬声器能够在1cm处产*119dB的声压级，单个薄膜的器件面积小于50mm²。然而，它的效率在声音频率低于4kHz时明显下降。
M. V. Garud等开发了静电驱动微型扬声器，其换能电极位于薄膜的侧面，以实现外围驱动，并扩大挠度范围（增加声压级），而不存在吸合风险。然而，由于薄膜在共振时被激发，因此频率响应并不平坦，这对于高保真扬声器来说是至关重要的。
B. Y. Majlis等和I. Shahosseini等分别提出了MEMS扬声器，它由一个悬浮振膜支撑的微线圈组成，并被固定在永磁体上方。虽然该器件在低频时表现出优异的性能，但由于需要集成一种磁性材料，其制造工艺复杂且难以规模化。
为了克服小型MEMS扬声器的低频限制，研究人员已经进行了一系列尝试，例如数字声音重建。在这种方法中，研究人员使用了一个薄膜阵列，其中每个元件产*一系列离散的声能脉冲。阵列发射的总能量是每个元件产*的能量的组合。因此，人们可以通过动态调整同时发声源的数量来控制产*的声音的强度和频率。利用这种方法，重建更高频率的声波可能更具挑战性，因为它需要更快的采样率，并且薄膜元件能够足够快速地启动。
器件概念和工作原理
图1 悬浮式MEMS器件的工作原理
图1说明了本论文中使用的驱动机理，在一个浮动电势体上产*静电力以使其悬浮。将两个电极连接到差动电压（V+ / V-），当它们靠近自由薄膜放置时，由于产*的电场，导致薄膜内的电荷重新分布。负电荷向V+方向漂移，正电荷向V-方向漂移，进而在整个薄膜上产*向上的电场力，将其向上拉。
为了能够控制薄膜在空间中的位置，电极需要在6个可能的自由度（DOF）中的5个中起作用：x、y和z的线性位移，以及围绕x轴和y轴的旋转。围绕z轴的旋转（即薄膜旋转）对于离面扬声器应用而言不是问题，因此不需要可操作性。图2说明了作用于5个所需自由度的必要电极配置。由于所提出的静电驱动方法只能产*单向力，因此悬浮式MEMS器件的电极配置需要加倍，以允许其在任何方向和方位上进行驱动。
图2 悬浮式MEMS扬声器的示意图（突出显示各种驱动电极）
制造工艺
研究人员设计的悬浮式MEMS扬声器使用MEMSCAP的商业化PolyMUMPS制造工艺，这是一种三层多晶硅表面微加工工艺，可实现横向和纵向换能间隙。如图3所示，悬浮薄膜是使用Poly1实现的，底部电极使用Poly0，横向电极使用Poly1，顶部电极使用Poly2。所进行的仿真符合该技术的所有材料和设计规则。
图3 使用PolyMUMPS工艺制造悬浮式MEMS扬声器的示意图
仿真结果
研究人员使用COMSOL Multiphysics进行有限元仿真，同时考虑固体力学、静电学、压力声学和热粘性声学域的影响。为了减少仿真负载，进行了以下简化：1）由于薄膜的质量非常低，因此忽略重力；2）薄膜沿x轴和y轴运动被禁止；3）薄膜开始处于间隙中心（距底部电极1.375µm高程）。通过在空气中的声压域仿真，他们确定了在距离薄膜中心1mm处接收到的声压，如图4所示。在1mm处接收到的最大声压级约为85db，对应于1cm处的声压级为65db。
图4 距离薄膜中心1mm处的声压级
综上，本论文提出了一种基于静电悬浮原理的MEMS扬声器。研究人员解释了所提出的工作原理，并给出了研究的仿真结果，结果表明该器件在1mm处能产*的最大声压级约为85db，同时能很好地跟踪输入的指令信号。需要指出的是，本论文提出的设计是作为功能概念验证实现的，尚未对其性能进行优化。因此，提出的新型MEMS扬声器架构在高保真、高效率的应用领域具有良好的前景，即使是低频率的声音应用。
论文信息：
DOI: 10.1109/NEWCAS52662.2022.9842083
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